计中牵扯到 2 个主要参数（LAB、 K），需同时满足目标值，所以将 LAB 进行优化设定，
而 K 值通过 sweep 生成多个拓扑结构进行选取。
（1） 先将‘turns’设置为 3，直接，看看默认这些物理参数条件下 LAB 大概是
多少，结果尽量在目标值 1.5nH 左右， 方便后续优化 sweep 迭代。
（2） 对 LAB 进行优化，选‘Outer Radius’进行调整，目标值 1.5n， 频率点就默认的
即可。（反正看的是全频段结果，在高频时应该感值会增加）
（3） Sweep 设置， 为了得到较多的物理拓扑结构， 选择 2 个物理尺寸进行扫描（线
宽 w 和线间距 S），将‘Width’和‘Spacing’设置为变量 w、 s 后，点击‘OK’，
会弹出变量设置对话框。设置 s、w 的起止尺寸和点数（注意不要违反 DRC rule）。
本例中 w 设置 6 个点， s 设置 5 个点，这样会有 30 个拓扑结构， 那么 K 值选择
范围会大些。
（4） 类型自行选择，本例为了快速，选择的低精度‘interconnect’。也仅生
成 nport 模型，没有勾选集总 PBM 模型。
物理层面降低器件或走线电容比较困难， 需要设法将电容电气特性规避掉， 来解决问
题。 Kleveland 等人设计出分布式 ESD 保护系统， 如下图， 一个四段 ESD 保护结构 CPW， 这
种结构通过调整 CPW 特征阻抗 Z0， 来和源端、 负载端进行阻抗匹配， 避免了早期 ESD 大电
容引起的阻抗不连续。 Z0 调整不但考虑 CPW 的电容、 电感效应， 还要包括 ESD 电容， 具体
计算公式为： Z0=sqrt（Lcpw/（Cesd Ccpw））。
体电阻率和方块电阻是一个意思，终都会折算到金属电导率，其差异变化会影响金属层电导率波动。电导率波动会直接影响EM结果，例如器件损耗等；线宽波动也会直接对EM结果带来差异影响，例如L、Q等。
下面截图是PDK中LDE信息：
Peakview软件的配置文件中考虑了LDE，保证精度更接近实测结果。在当前先进的工艺中，更能提升流片成功率。在一些7nm等先进工艺中，PDK信息是加密的，这种LDE信息已不能靠人工处理，peakview可以通过软件自动解析进行加载，为工作带来精度保证和便利。
Peakview会识别PDK中的LDE信息，转换配置文件时以方块电阻变化表、线宽变化表映射LDE信息。时peakview根据不同的设计尺寸来查表，调用实际的方块电阻和线宽值，确保结果更接近实测值。
